ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPI076N15N5AKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPI076N15N5AKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPI076N15N5AKSA1
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO262, АБ
Корпус TO-262-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 112 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.9 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612282
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 c
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-262
Рассеиваемая Мощность
214вт
Полярность Транзистора
n канал
Напряжение Истока-стока Vds
150в
Непрерывный Ток Стока
112а
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0059ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10в
Пороговое Напряжение Vgs
3.8в
Transistor Mounting
through hole
Вес, г
2.304
Линейка Продукции
optimos 5 series
Техническая документация
Datasheet IPI076N15N5AKSA1 , pdf
, 1552 КБ