ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD80R4K5P7ATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD80R4K5P7ATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD80R4K5P7ATMA1
Последняя цена
18 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.5 Ом
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612281
Технические параметры
Вес, г
0.475
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Высота
2.41мм
Length
6.73мм
Brand
Infineon
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Серия
CoolMOS P7
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
1,5 А
Maximum Power Dissipation
13 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22мм
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
800 В
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
0.9V
Техническая документация
Datasheet IPD80R4K5P7ATMA1 , pdf
, 993 КБ
