ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD80R450P7ATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD80R450P7ATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD80R450P7ATMA1
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ
Мощный МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ P7
Семейство силовых МОП-транзисторов CoolMOS P7 на 800 В обеспечивает еще более высокий КПД и тепловые характеристики. Подходящие области применения: адаптеры питания, светодиодное освещение, аудио, промышленное и вспомогательное питание.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612280
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.477
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Ширина
6.22 mm
Высота
2.41мм
Length
6.73мм
Brand
Infineon
Минимальная рабочая температура
50 C
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
73 W
Qg - заряд затвора
24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
6 ns
Время спада
10 ns
Длина
6.5 mm
Другие названия товара №
IPD80R450P7 SP001422626
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
CoolMOS P7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-252-3
Упаковка
Reel, Cut Tape
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
11 А
Maximum Power Dissipation
73 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22мм
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
800 В
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
0.9V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 175 КБ
Datasheet IPD80R450P7ATMA1 , pdf
, 1123 КБ
