IPB60R099CPATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 330 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

MOSFET, N, TO-263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 99 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612277

Технические параметры

Вес, г

1.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.31mm

Brand

Infineon

Series

CoolMOS CP

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

31 A

Maximum Power Dissipation

255 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

9.45mm

Height

4.57mm

Maximum Drain Source Resistance

99 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Dimensions

10.31 x 9.45 x 4.57mm

Typical Turn-On Delay Time

10 ns

Typical Turn-Off Delay Time

60 ns

Техническая документация

Datasheet IPB60R099CPATMA1 , pdf , 589 КБ

IPB60R099CPATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 330 руб.

Техническая документация