ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCR158E6327HTSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCR158E6327HTSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCR158E6327HTSA1
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
PNP DIGI-TRANS.2.2K/47K SOT23
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 70
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1612263
Технические параметры
Вес, г
0.032
Base Product Number
BCR158 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
200MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
200 mW
Width
1.3mm
Height
0.9mm
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Minimum DC Current Gain
70
Конфигурация транзистора
одинарный
Тип монтажа
поверхностный монтаж
Тип транзистора
pnp
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 мвт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 в
Число контактов
3
Тип корпуса
sot-23
Maximum Continuous Collector Current
100 mA
Typical Input Resistor
2.2 kΩ
Typical Resistor Ratio
0.047
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Техническая документация
Infineon-BCR158SERIES-DS-v01_01-en , pdf
, 837 КБ
