Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 25, корпус: TO274AA, АБ
IGBT, TO-274AA Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 50A Voltage, Vce Sat Max 2.7V Power Dissipation 350W Case Style TO-247AA Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V Current, Icm Pulsed 200A No. of Pins 3 Power, Pd 350W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Rise 77ns Transistors, No. of 1
Корпус TO274AA, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 99 А, Напряжение насыщения К-Э 2.7 В, Максимальная мощность 350 Вт, Заряд затвора 380 нКл, Тип входа стандартный
