ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BF513.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BF513.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BF513.215
Последняя цена
22 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236
Корпус TO236
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1612167
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.032
Transistor Configuration
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
JFET
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3мм
Категория продукта
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Конфигурация
Одинарный
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
RF JFET Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
Упаковка / блок
SOT-23
Ширина
1.4мм
Другие названия товара №
BF513 T/R
Технология
Si
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Производитель
NXP
Тип
JFET
Продукт
RF JFET
Запирающий ток сток-исток Idss
10 → 18mA
Максимальное напряжение сток-затвор
20V
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Тип канала
N
Id - непрерывный ток утечки
30 mA
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
20 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Напряжение отсечки затвор-исток
3 V
Техническая документация
Datasheet BF513.215 , pdf
, 59 КБ