ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP31C - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
TIP31C
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP31C
Последняя цена
22 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220
Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 40 Вт; h21: от 50
Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 50
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1612046
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.692
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Высота
9.15мм
Длина
10.4мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.6мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,2 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10