ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD112T4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
MJD112T4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD112T4
Последняя цена
18 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252
Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 12000
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1612015
Технические параметры
Вес, г
0.552
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 380 КБ