IRFB4310PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 130 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611978

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.622

Максимальный непрерывный ток стока

130 A

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.82мм

Высота

9.02мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

7 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRFB4310 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

130A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7670pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.66мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

68 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.66 x 4.82 x 9.02мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

26 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

170 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

7670 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

130A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

300W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

7mО© @ 75A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IRFB4310PBF , pdf , 384 КБ
Datasheet , pdf , 377 КБ

IRFB4310PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация