IRF540NPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 53 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Транзистор MOSFET с N-каналом.

Максимальное напряжение: 100 В;
Номинальный ток: 33 А;
Номинальное напряжение затвора: 10 В;
Максимальное напряжение затвора: 20 В;
Тип корпуса: TO-220-3;
Монтаж в сквозные отверстия;
Максимальный импульсный ток: 110А;
Расстояние между выводами: 2.54 мм;
Количество контактов: 3;
Мощность рассеивания 25 °С, макс.: 130 Вт;
Заряд затвора: 71 нКл;
Емкость затвора: 1960 пФ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 33 А, Сопротивление открытого канала (мин) 44 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611958

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.852

Максимальный непрерывный ток стока

33 А

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.69мм

Высота

8.77мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

44 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Структура

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

130

Корпус

TO220AB

Длина

10.54мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

39 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.54 x 4.69 x 8.77мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

71 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1960 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

33A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

130W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Крутизна характеристики S,А/В

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55...+175

Техническая документация

IRF540NPBF Datasheet , pdf , 154 КБ
IRF540n datasheet , pdf , 103 КБ

IRF540NPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 53 руб.

Техническая документация