IRF5305PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 54 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -55V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.06ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 110A Device Marking IRF5305 Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Configuration a Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 110W Power, Pd 110W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.4°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds 55V Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611945

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.76

Максимальный непрерывный ток стока

31 A

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.69мм

Высота

8.77мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRF5305 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

31A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

110W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 16A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Структура

P-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

-55

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

-31

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

110

Корпус

TO220AB

Длина

10.54мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

39 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.54 x 4.69 x 8.77мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

63 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1200 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Крутизна характеристики S,А/В

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

-4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55...+175

Техническая документация

IRF5305 Datasheet , pdf , 130 КБ
Datasheet IRF5305PBF , pdf , 192 КБ
Datasheet , pdf , 183 КБ

IRF5305PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 54 руб.

Техническая документация