ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCR112E6327HTSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCR112E6327HTSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCR112E6327HTSA1
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
NPN-Dig. 50V 0.1A 0.2W SOT23
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 20
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1611883
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.033
Base Product Number
BCR112 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
140MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Configuration
Одинарный
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Высота
1мм
Длина
2.9мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.3
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Производитель
Infineon
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Типичный входной резистор
4,7 кΩ
Типичный коэффициент резистора
1
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
Техническая документация
Datasheet BCR112E6327HTSA1 , pdf
, 837 КБ
