IPP093N06N3GXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO220-3
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.3 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611826

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.848

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное рассеяние мощности

71 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

15.95мм

Высота

4.57мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.36мм

Brand

Infineon

Series

OptiMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

9,3 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IPP093 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

50A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 30V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

71W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 50A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 34ВµA

Длина

10.36мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

20 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.36 x 15.95 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

2900 пФ при 30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

50A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

71W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 34uA

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

71 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

15.95мм

Height

4.57мм

Maximum Drain Source Resistance

9,3 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

Datasheet , pdf , 688 КБ
Datasheet , pdf , 688 КБ

IPP093N06N3GXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация