IRF5801TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 11 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSOP6, АБ

IRF5801TRPBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, обеспечивающий низкий заряд затвор-сток для снижения коммутационных потерь. Он подходит для высокочастотных преобразователей постоянного тока, переключателей постоянного тока и переключателей нагрузки.

• Полностью описанные лавинное напряжение и ток
• Полностью определенная емкость, включая эффективные COSS для упрощения конструкции
• Без галогенов

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611825

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.046

Максимальный непрерывный ток стока

600 mA

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.5мм

Высота

0.9мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2.2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Структура

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

200

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

0.6

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

Корпус

TSOP6

Длина

3мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

8,8 нс

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Размеры

3 x 1.5 x 0.9мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6,5 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

3,9 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

88 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

600mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

5.5V @ 250uA

Крутизна характеристики S,А/В

0.44

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

5.5

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

2200

Температура, С

-55...+150

Техническая документация

Datasheet IRF5801TRPBF , pdf , 224 КБ

IRF5801TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 11 руб.

Техническая документация