IPP045N10N3GXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

N-CH 100V 100A 4.2mOhm TO220-3
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611824

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.874

Ширина

4.4 mm

Высота

15.65 mm

Series

OptiMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IPP045 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8410pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 150ВµA

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Qg - заряд затвора

88 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

59 ns

Время спада

14 ns

Длина

10 mm

Другие названия товара №

G IPP045N10N3 IPP45N1N3GXK SP000680794

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

73 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

48 ns

Типичное время задержки при включении

27 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IPP045N10N3GXKSA1 , pdf , 1659 КБ
Datasheet IPP045N10N3GXKSA1 , pdf , 749 КБ
Datasheet , pdf , 1611 КБ

IPP045N10N3GXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация