IPP037N08N3GXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611823

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.848

Максимальный непрерывный ток стока

100 А

Максимальное рассеяние мощности

214 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Высота

15.95mm

Количество элементов на ИС

Length

10.36мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6,3 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

80 В

Typical Gate Charge @ Vgs

88 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

10 mm

Другие названия товара №

G IPP037N08N3 IPP37N8N3GXK SP000680776

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220

Материал транзистора

Кремний

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Техническая документация

Datasheet IPP037N08N3GXKSA1 , pdf , 497 КБ
Datasheet IPP037N08N3GXKSA1 , pdf , 1022 КБ
Datasheet , pdf , 499 КБ

IPP037N08N3GXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация