IPL60R650P6SATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 44 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTSON8, АБ

Trans MOSFET N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
Корпус PGTSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 650 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611821

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.207

Ширина

5 mm

Высота

1.1 mm

Минимальная рабочая температура

40 C

Id - непрерывный ток утечки

6.7 A

Pd - рассеивание мощности

56.8 W

Qg - заряд затвора

12 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

650 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

7 ns

Время спада

14 ns

Длина

6 mm

Другие названия товара №

IPL60R650P6S SP001163080

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

CoolMOS P6

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

33 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

ThinPAK-56-8

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

6.7A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

56.8W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 200uA

Техническая документация

Datasheet IPL60R650P6SATMA1 , pdf , 1379 КБ
Datasheet IPL60R650P6SATMA1 , pdf , 1315 КБ

IPL60R650P6SATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 44 руб.

Техническая документация