ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFS52N15DPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFS52N15DPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFS52N15DPBF
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 51 А, Сопротивление открытого канала (мин) 32 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1611820
Технические параметры
Вес, г
2.359
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
230
Корпус
D2Pak
Крутизна характеристики S,А/В
19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
32
Температура, С
-55...+175
Техническая документация
IRFS52N15DPBF Datasheet , pdf
, 326 КБ