ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKW50N65F5FKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKW50N65F5FKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKW50N65F5FKSA1
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 650 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность 305 Вт, Заряд затвора 120 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1611802
Технические параметры
Base Product Number
IKW50N65 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
Gate Charge
120nC
Power - Max
305W
Switching Energy
490ВµJ (on), 160ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
21ns/175ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Reverse Recovery Time (trr)
52ns
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Конфигурация
Single
Вес, г
8.077
Pd - рассеивание мощности
305 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
80 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
IKW50N65F5 SP000973420
Серия
TRENCHSTOP 5 F5
Технология
Si
Series
TrenchStopВ® ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
IKW50N65F5 , pdf
, 2184 КБ
Datasheet IKW50N65F5 , pdf
, 2248 КБ
Datasheet IKW50N65F5FKSA1 , pdf
, 2173 КБ
