BSZ340N08NS3GATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 17 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTSDSON8, АБ

MOSFET, N CHANNEL, 80V, 23A, 8TSDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 23A
Корпус PGTSDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 34 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611773

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.274

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальное рассеяние мощности

32 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.3 mm

Высота

1.1мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

3.4мм

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение сток-исток

80 В

Typical Gate Charge @ Vgs

6,8 нКл при 10 В

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

23 A

Pd - рассеивание мощности

32 W

Qg - заряд затвора

6.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

34 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3 ns

Время спада

2 ns

Длина

3.3 mm

Другие названия товара №

BSZ340N08NS3 BSZ34N8NS3GXT G SP000443634

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

11 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TSDSON-8

Тип корпуса

TSDSON

Transistor Configuration

Одинарный

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Continuous Drain Current

23 А

Width

3.4мм

Maximum Drain Source Resistance

66 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Forward Diode Voltage

1.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Техническая документация

Datasheet BSZ340N08NS3GATMA1 , pdf , 653 КБ
Datasheet BSZ340N08NS3GATMA1 , pdf , 637 КБ

BSZ340N08NS3GATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 17 руб.

Техническая документация