BSZ068N06NSATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 43 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTSDSON8, АБ

MOSFET, N-CH, 60V, 40A, TSDSON
Корпус PGTSDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6.8 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611771

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.248

Ширина

3.3 mm

Высота

1 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

40 A

Pd - рассеивание мощности

46 W

Qg - заряд затвора

17 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

8.2 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.8 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3 ns

Время спада

3 ns

Длина

3.3 mm

Другие названия товара №

BSZ068N06NS SP001067002

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

20 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 5

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

12 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TSDSON-8

Техническая документация

Datasheet BSZ068N06NSATMA1 , pdf , 909 КБ
Datasheet BSZ068N06NSATMA1 , pdf , 692 КБ

BSZ068N06NSATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 43 руб.

Техническая документация