BSS816NWH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT323, АБ

• N-канальный малосигнальный транзистор Optima ™ -2
• Режим улучшения
• Ультра-логический уровень (номинальное напряжение 1,8 В)
• Уровень защиты от лавин
• Соответствует требованиям AEC Q101

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611769

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.031

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 A

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.25мм

Высота

0.8мм

Количество элементов на ИС

Series

OptiMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

240 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.1V

Base Product Number

BSS816 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.4A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 2.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 2.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT323-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

0.75V @ 3.7ВµA

Длина

2мм

Серия

OptiMOS 2

Типичное время задержки выключения

11 ns

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Размеры

2 x 1.25 x 0.8мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,3 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

0.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 2,5 В

Типичная входная емкость при Vds

126 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

4.9S

Техническая документация

Datasheet , pdf , 701 КБ
Datasheet BSS816NWH6327XTSA1 , pdf , 183 КБ

BSS816NWH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 6 руб.

Техническая документация