BSS308PEH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™
Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™ разработаны для обеспечения расширенных функций и качественных характеристик. Характеристики включают сверхнизкие коммутационные потери, сопротивление в открытом состоянии, лавинные характеристики, а также квалификацию AEC для автомобильных решений. Применения включают DC-DC, управление двигателями, автомобилестроение и eMobility.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611768

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.034

Максимальный непрерывный ток стока

1,6 А

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

2.9мм

Серия

OptiMOS P

Типичное время задержки выключения

15,3 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,6 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

376 пФ при -15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Id - непрерывный ток утечки:

2 a

Pd - рассеивание мощности:

500 mw

Qg - заряд затвора:

5 nc

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

62 mohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

30 v

Vgs - напряжение затвор-исток:

-20 v, +20 v

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

2 v

Вид монтажа:

smd/smt

Время нарастания:

7.7 ns

Время спада:

2.8 ns

Другие названия товара №:

bss308pe h6327 sp000928942

Канальный режим:

enhancement

Категория продукта:

моп-транзистор

Количество каналов:

1 channel

Конфигурация:

single

Максимальная рабочая температура:

+150 c

Минимальная рабочая температура:

-55 c

Подкатегория:

mosfets

Полярность транзистора:

p-channel

Производитель:

infineon

Размер фабричной упаковки:

3000

Серия:

bss308

Технология:

Тип продукта:

mosfet

Тип транзистора:

1 p-channel

Типичное время задержки выключения:

15.3 ns

Типичное время задержки при включении:

5.6 ns

Торговая марка:

infineon technologies

Упаковка / блок:

pg-sot-23-3

Упаковка:

cut tape, mousereel, reel

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

4.6 s

Квалификация:

aec-q101

Техническая документация

Datasheet BSS308PEH6327XTSA1 , pdf , 241 КБ
Datasheet BSS308PEH6327XTSA1 , pdf , 241 КБ
Трёхмерное изображение изделия , zip , 516 КБ
Трёхмерное изображение изделия , zip , 11 КБ
Трёхмерное изображение изделия , zip , 3 КБ
Трёхмерное изображение изделия , zip , 3 КБ

BSS308PEH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация