BSS306NH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 57 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611767

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.034

Ширина

1.3 mm

Высота

1.1 mm

Series

OptiMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

BSS306 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.3A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 11ВµA

Id - непрерывный ток утечки

2.3 A

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Qg - заряд затвора

1.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

57 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

2.3 ns

Время спада

1.4 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

BSS306N BSS36NH6327XT H6327 SP000928940

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS306

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

8.3 ns

Типичное время задержки при включении

4.4 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 225 КБ

BSS306NH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 9 руб.

Техническая документация