BSP372NH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

N-CH MOS-FET 1.7A 100V SOT223
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 230 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611765

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.14

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 A

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.5мм

Высота

1.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

270 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.1V

Длина

6.5мм

Серия

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

47.3 ns

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,1 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.8V

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

247 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

5.1s

BSP372NH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.