BSP316PH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 11 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

P-CH MOS-FET 0.68A 100V SOT223
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 680 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611764

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.197

Ширина

3.5 mm

Высота

1.6 mm

Series

SIPMOSВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

BSP316 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

680mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

146pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 680mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 170ВµA

Id - непрерывный ток утечки

680 mA

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

6.4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

7.5 ns

Время спада

25.9 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

BSP316P H6327 SP001058754

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

500 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BSP316

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

67.4 ns

Типичное время задержки при включении

4.7 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

680mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 170uA

Техническая документация

Datasheet BSP316PH6327XTSA1 , pdf , 402 КБ
Datasheet BSP316PH6327XTSA1 , pdf , 399 КБ
Datasheet BSP316PH6327XTSA1 , pdf , 435 КБ

BSP316PH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 11 руб.

Техническая документация