BSL215CH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 21 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSOP6, АБ

Корпус TSOP-6, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 102 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611761

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel, P-Channel

Вес, г

0.127

Максимальный непрерывный ток стока

1.5 A

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.6мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мОм, 280 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N, P

Прямое напряжение диода

1.1V

Id - непрерывный ток утечки

1.5 A

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Qg - заряд затвора

0.73 nC, - 3 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

140 mOhms, 150 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

700 mV, 1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

7.6 ns, 9.7 ns

Время спада

1.4 ns, 14 ns

Длина

2.9мм

Другие названия товара №

BSL215C H6327 SP001101000

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

OptiMOS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

6.8 ns, 14.5 ns

Типичное время задержки при включении

4.1 ns, 6.7 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TSOP-6

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Размеры

2.9 x 1.6 x 1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

4.1 ns, 6.7 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

0.6 V, 1.2 V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7 V, 1.2 V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,73 нКл при 4,5 В, 3 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

110 pF @ 10 V, 270 pF @ -10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Прямая активная межэлектродная проводимость

4с

Техническая документация

Datasheet BSL215CH6327XTSA1 , pdf , 406 КБ

BSL215CH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 21 руб.

Техническая документация