BSC060N10NS3GATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8, АБ

Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 90 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611759

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TDSON

Ширина

5.15 mm

Высота

1.27 mm

Transistor Material

Length

5.35mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

51 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Id - непрерывный ток утечки

90 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Qg - заряд затвора

68 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

5.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

16 ns

Время спада

12 ns

Длина

5.9 mm

Другие названия товара №

BSC6N1NS3GXT SP000446584 BSC060N10NS3GATMA1

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

43 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TDSON-8

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Power Dissipation

125 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.1mm

Height

1.1mm

Maximum Drain Source Resistance

6 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet BSC060N10NS3GATMA1 , pdf , 659 КБ
Datasheet , pdf , 657 КБ

BSC060N10NS3GATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация