BSC022N04LSATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 80 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8, АБ

Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.2 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611758

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.193

Ширина

5.15 mm

Высота

1.27 mm

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

69 W

Qg - заряд затвора

52 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.8 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6.8 ns

Время спада

5 ns

Длина

5.9 mm

Другие названия товара №

BSC022N04LS SP001059844

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

90 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 5

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

26 ns

Типичное время задержки при включении

6.1 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TDSON-8

Техническая документация

Datasheet BSC022N04LSATMA1 , pdf , 1458 КБ
Datasheet , pdf , 1325 КБ

BSC022N04LSATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 80 руб.

Техническая документация