ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC857BE6327HTSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BC857BE6327HTSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC857BE6327HTSA1
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
PNP TRANSISTOR 45V 0.1A SOT23
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 330 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 220
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1611749
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.055
Base Product Number
BC857 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
330mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1 x 2.9 x 1.3мм
Высота
1мм
Длина
2.9мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.3мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,65 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Производитель
Infineon
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
220
