ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCR133E6327HTSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCR133E6327HTSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCR133E6327HTSA1
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Infineon
Линейка биполярных переходных транзисторов от Infineon, оснащенных встроенными резисторами, позволяющими напрямую управлять устройствами от цифровых источников без дополнительных компонентов. Устройства с двойным резистором имеют последовательный входной резистор плюс резистор, подключенный между базой транзистора и эмиттером.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1611463
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.033
Base Product Number
BCR133 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
130MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Configuration
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Высота
0.9мм
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Производитель
Infineon
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Типичный входной резистор
10 кΩ
Типичный коэффициент резистора
1
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Техническая документация
Infineon-BCR133SERIES , pdf
, 868 КБ
