IRFP250NPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 30A Resistance, Rds On 0.075ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 120A No. of Pins 3 Power Dissipation 214W Power, Pd 214W Thermal Resistance, Junction to Case A 0.83°C/W Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611439

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

7.08

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Package Type

TO-247AC

Максимальное рассеяние мощности

214 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.3мм

Высота

20.3мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

123 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Длина

15.9мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

41 нс

Тип корпуса

TO-247AC

Размеры

15.9 x 5.3 x 20.3мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

123 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

2159 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

30A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

214W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.3mm

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

IRFP250N Datasheet , pdf , 181 КБ
Datasheet IRFP250NPBF , pdf , 181 КБ

IRFP250NPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация