MJE350, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 18 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO126

Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 300 В; IК(макс): 500 мА; Pрасс: 20 Вт; h21: от 30
Корпус TO126, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 30

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1611429

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

1.28

Transistor Type

PNP

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

500mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Pd - Power Dissipation

20.8W

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Размеры

10.8 x 7.8 x 2.7мм

Высота

10.8мм

Длина

7.8мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

2.7мм

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

20.8 W

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 В

Число контактов

Тип корпуса

SOT-32

Производитель

STMicroelectronics

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 595 КБ
MJE350 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Datasheet , pdf , 500 КБ

MJE350 - характеристики, поставщики

Последняя цена 18 руб.

Техническая документация