BC857CW.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

SOT323/PNP GP TRANS LP
Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1611404

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.038

Base Product Number

BC857 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2.2mm

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Transistor Configuration

Single

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Maximum Power Dissipation

200 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

100 mA

Height

1mm

Pin Count

Dimensions

1 x 2.2 x 1.35mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

420

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

200mW

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SC-70-3

Ширина

1.35 mm

Другие названия товара №

BC857CW T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

420 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.85 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 370 КБ
Datasheet , pdf , 219 КБ
Datasheet , pdf , 158 КБ

BC857CW.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация