ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817-40W.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BC817-40W.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817-40W.115
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703
Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 250, Коэффициент усиления по току, max 600
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1611402
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.043
Base Product Number
BC817 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
500mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
200mW
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
250 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC817
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35мм
Другие названия товара №
934021940115
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250 at 100 mA, 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
500 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 275 КБ
BC817W_SER-1598709 , pdf
, 277 КБ
Datasheet , pdf
, 354 КБ