ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
D45H11 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
D45H11
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
D45H11
Последняя цена
46 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220
Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 1 В; IК(макс): 10 А; Pрасс: 50 Вт; h21: от 40
Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 10 А, Коэффициент усиления по току, min 40
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1611396
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.688
Transistor Type
PNP
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
10A
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
40@4A@1V|60@2A@1V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
50W
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
PNP
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Высота
9.15мм
Длина
10.4мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.6мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.75
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
80
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.5@0.8A@8A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
1@0.4A@8A
Maximum DC Collector Current (A)
10
Maximum Power Dissipation (mW)
50000
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.15(Max)
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
20 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40W
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 181 КБ
Datasheet , pdf
, 169 КБ