IRFZ44VPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 56 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 60V, 55A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 60V Current, Id Cont 55A Resistance, Rds On 0.0165ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 220A No. of Pins 3 Power Dissipation 115W Power, Pd 115W Thermal Resistance, Junction to Case A 1.3°C/W Voltage, Vds Max 60V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 55 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16.5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611350

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.658

Максимальный непрерывный ток стока

55 А

Максимальное рассеяние мощности

115 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Высота

8.77мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRFZ44 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

55A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1812pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

115W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 31A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

40 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

67 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1812 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

55A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

115W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

IRFZ44VPBF Datasheet , pdf , 153 КБ
Datasheet IRFZ44VPBF , pdf , 227 КБ

IRFZ44VPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 56 руб.

Техническая документация