BSP295H6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 39 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

N-CHAN. MOS-FET 1.8A 60V SOT223
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 300 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611330

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.197

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 A

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Высота

1.6мм

Количество элементов на ИС

Series

SIPMOSВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSP295 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.8A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

368pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 400ВµA

Длина

6.5мм

Серия

SIPMOS

Типичное время задержки выключения

27 нс

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,4 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.8V

Число контактов

3+Tab

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

14 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

295 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.8A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.8V @ 400uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 701 КБ
Datasheet BSP295H6327XTSA1 , pdf , 443 КБ

BSP295H6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 39 руб.

Техническая документация