IRF9530NPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611296

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.637

Максимальный непрерывный ток стока

14 А

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Высота

8.77мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Структура

P-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

-100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

-14

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

Корпус

TO220AB

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

45 ns

Тип корпуса

TO-220AB

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

58 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

760 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Крутизна характеристики S,А/В

3.2

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

-4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

200

Температура, С

-55...+175

Техническая документация

IRF9530N Datasheet , pdf , 119 КБ
Datasheet , pdf , 226 КБ

IRF9530NPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация