BSP149H6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 57 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

N-CH Depletion MOS 200V SOT223
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 660 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611189

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

1.8Вт

Полярность Транзистора

N-Channel

Напряжение Истока-стока Vds

200В

Непрерывный Ток Стока

660мА

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

1Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1.4В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.194

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

660 мА

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Высота

1.6мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1.8 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Pin Count

3 + Tab

Номер канала

Опускание

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

660 mA

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

11 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.8 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.4 ns

Время спада

21 ns

Длина

6.5мм

Другие названия товара №

BSP149 H6327 SP001058818

Канальный режим

Depletion

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.4 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки при включении

5.1 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,1 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

3+Tab

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

326 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Maximum Continuous Drain Current

660 мА

Width

3.5мм

Height

1.6мм

Maximum Drain Source Resistance

1,8 Ω

Channel Mode

Опускание

Техническая документация

BSP149_Rev2.1 , pdf , 397 КБ
Datasheet , pdf , 403 КБ

BSP149H6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 57 руб.

Техническая документация