BCV49H6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243, АБ

NPN DARLINGTON 60V 0.5A SOT89
Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация NPN Darl., Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 10000

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1611101

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.128

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Высота

1.5мм

Длина

4.5мм

Ширина

2.5мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

5 W

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-89

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Производитель

Infineon

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Ток базы

100mA

BCV49H6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.