SPA17N80C3XKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1611027

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-220FP

Ширина

4.85 mm

Высота

16.15 mm

Transistor Material

Length

10.627mm

Brand

Infineon

Series

CoolMOS C3

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

91 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

SPA17N80 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

17A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

177nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2320pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

42W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 11A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

17 A

Pd - рассеивание мощности

42 W

Qg - заряд затвора

177 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

250 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

15 ns

Время спада

6 ns

Длина

10.65 mm

Другие названия товара №

SP000216353 SPA17N80C3 SPA17N8C3XK

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

15 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS C3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

72 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Упаковка

Tube

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Maximum Power Dissipation

42 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.826mm

Height

9.808mm

Maximum Drain Source Resistance

290 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Dimensions

10.627 x 4.826 x 9.808mm

Typical Turn-On Delay Time

25 ns

Typical Turn-Off Delay Time

72 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 738 КБ
Datasheet SPA17N80C3XKSA1 , pdf , 978 КБ

SPA17N80C3XKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация