IPB010N06NATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 400 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO2637, АБ

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 180 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1610998

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.99

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.25 mm

Высота

4.4 mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 5

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

180 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Qg - заряд затвора

243 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

800 uOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

36 ns

Время спада

23 ns

Длина

10.31мм

Другие названия товара №

IPB010N06N IPB1N6NXT SP000917410

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

160 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

OptiMOS 5

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

74 ns

Типичное время задержки при включении

37 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-263-7

Продукт

OptiMOS Power

Тип

OptiMOS Power Transistor

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Материал транзистора

Кремний

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

208 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

300 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.57мм

Height

9.45мм

Maximum Drain Source Resistance

1,5 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single Quint Source

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

180

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Maximum Power Dissipation (mW)

300000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-263

Supplier Package

D2PAK

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

15000@30V

Forward Diode Voltage

4.2V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

208@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

208

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

4.57(Max)

Package Length

10.31(Max)

Package Width

9.45(Max)

Tab

Техническая документация

Datasheet IPB010N06NATMA1 , pdf , 1053 КБ
Datasheet , pdf , 1042 КБ

IPB010N06NATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 400 руб.

Техническая документация