BSS83PH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

SMALL SIGNAL+P-CH
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 330 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1610991

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.034

Максимальный непрерывный ток стока

330 мА

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

SIPMOSВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSS83PH6327 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

330mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.57nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 330mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 80ВµA

Id - непрерывный ток утечки

330 mA

Pd - рассеивание мощности

360 mW

Qg - заряд затвора

2.38 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

71 ns

Время спада

61 ns

Длина

2.9мм

Другие названия товара №

BSS83P H6327 SP000702486

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.24 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIPMOS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

56 нс

Типичное время задержки при включении

23 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

23 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

2.38 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

62 пФ при -25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet BSS83PH6327XTSA1 , pdf , 346 КБ
Datasheet BSS83PH6327XTSA1 , pdf , 478 КБ
Datasheet BSS83PH6327XTSA1 , pdf , 365 КБ

BSS83PH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация