BSP170PH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

МОП-транзистор: P-CH, 60 В, 1.9 A, SOT223

Характеристики:

Корпус: SOT-223-4;

Полярность: P;

максимальное напряжение сток-исток: 60 В;

Ток стока: 1.9 A;

Сопротивление сток-исток: 300 мОм;

Максимальное напряжение затвора: 20 В;

Заряд затвора: 14 нКл;

Рабочая температура: - 55... +150 °C;

Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт;

Емкость затвора: 410 пФ;

Вид монтажа: SMD/SMT

Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 300 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1610895

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.195

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Высота

1.6мм

Количество элементов на ИС

Series

SIPMOSВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Base Product Number

BSP170 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.9A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.9A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

1.9 A

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

10 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

239 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

28 ns

Время спада

60 ns

Длина

6.5мм

Другие названия товара №

BSP170P H6327 SP001058608

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.3 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

92 нс

Типичное время задержки при включении

14 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

3+Tab

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

10 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

328 пФ при -25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 572 КБ
Datasheet BSP170PH6327XTSA1 , pdf , 570 КБ

BSP170PH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация