ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLIZ44NPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLIZ44NPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLIZ44NPBF
Последняя цена
61 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1610814
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.812
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.8мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
22 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.75мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
26 нс
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.75 x 4.83 x 9.8мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 5 V
Типичная входная емкость при Vds
1700 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
30A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
45W
Rds On - Drain-Source Resistance
22mО© @ 17A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55V
Vgs - Gate-Source Voltage
2V @ 250uA
Техническая документация
IRLIZ44NPBF , pdf
, 489 КБ
Datasheet , pdf
, 500 КБ