ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCV62.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BCV62.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCV62.215
Последняя цена
8 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO253
Корпус TO253, Тип проводимости и конфигурация PNP/PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 800
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1610811
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.042
Base Product Number
BCV62 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-253-4, TO-253AA
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-143B
Transistor Type
2 PNP (Dual) Current Mirror
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Pd - Power Dissipation
250mW
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
3 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-143B-4
Ширина
1.4 mm
Другие названия товара №
933677230215
Квалификация
AEC-Q101
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Applications
Current Mirror
Current Rating (Amps)
100mA
Voltage - Rated
30V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 797 КБ
Datasheet , pdf
, 758 КБ
Datasheet BCV62,215 , pdf
, 145 КБ
Datasheet BCV62,215 , pdf
, 263 КБ
