BD912, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

TRANSISTOR, PNP, TO-220 Transistor Type Bipolar Transistor Polarity PNP Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 100V Current Ic Continuous a Max 15A Voltage, Vce Sat Max 1V Power Dissipation 90W Min Hfe 40 ft, Typ 3MHz Case Style TO-220 Termination Type Through Hole Application Code GP Current Ic @ Vce Sat 5A Current Ic Max 15A Current Ic hFE 0.5A Device Marking BD912 Max Hfe 250 No. of Pins 3 Power, Ptot 90W Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 100V ft, Min 3MHz
Корпус TO220AB, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 90 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 15 А, Коэффициент усиления по току, min 150

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1610732

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+85 °C

Вес, г

2.6

Package / Case

TO-220-3

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

10.4 mm (Max)

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Width

4.6 mm (Max)

Maximum DC Collector Current

15 A

Height

9.15 mm (Max)

Pd - Power Dissipation

90 W

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Размеры

9.15 x 10.4 x 4.6мм

Высота

9.15мм

Длина

10.4мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

4.6мм

Series

BD912

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Product Category

Bipolar Transistors - BJT

Configuration

Single

Packaging

Tube

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

15 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

3 MHz

Число контактов

Manufacturer

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-220

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2,5 В

Производитель

STMicroelectronics

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Collector- Base Voltage VCBO

100 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

DC Collector/Base Gain Hfe Min

DC Current Gain HFE Max

150

Emitter- Base Voltage VEBO

- 5 V

Factory Pack Quantity

1000

Mounting Style

Through Hole

Product Type

BJTs - Bipolar Transistors

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.211644 oz

Gain Bandwidth Product FT

3 MHz

Техническая документация

BD909-BD912 , pdf , 1155 КБ
Datasheet , pdf , 1148 КБ
Datasheet BD911 , pdf , 1149 КБ

BD912 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация