BSP130.115 - характеристики, поставщики

BSP130.115

Последняя цена 32 руб.

BSP130.115

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1610731

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.273

Ширина

3.7 mm

Высота

1.7 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

350mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 250mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

350 mA

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

300 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

6.7 mm

Другие названия товара №

BSP130 T/R

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single Dual Drain

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Техническая документация

Datasheet BSP130,115 , pdf , 196 КБ
Datasheet BSP130.115 , pdf , 196 КБ
Datasheet BSP130,115 , pdf , 81 КБ